一、小米吹響氮化鎵快充號角

　　2020年2月13日，小米通過線上直播的形式發布了小米10Pro系列手機以及部分配件產品。其中65w氮化鎵（GaN）充電器引爆市場。

　　其實全球首家采用氮化鎵（GaN）充電器的廠家是OPPO在19年11月發布RenoAce手機搭載的65W快充，在提升充電效率的同時減小體積。不過OPPO可能只顧著打廣告：“充電5分鐘，通話兩小時”，沒做科普，也沒引起較大關注度。同時，在今年的CES2020上，包括Anker在內的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產品，但是由于技術、良率等問題，價格相對昂貴。

　　當然小米65W氮化鎵（GaN）充電器能火，肯定不是因為雷軍人氣比較高。該充電器具有體積小，充電快、易散熱等特點，具體來說，體積比常規充電器小50%，對一塊4500mAH的超大電池從0%充電至100%僅需45分鐘，為iPhone 11充電比原裝充電器快50%。同時，該充電器Type-C 65W內置智能識別芯片，可以為市面上主流智能手機、Type-C接口的筆記本電腦及其它電子設備充電。

　　氮化鎵充電器最主要的成本來自于氮化鎵MOS功率芯片，昂貴的原材料導致了消費級氮化鎵充電器價格高昂，但氮化鎵充電器是實現快充突破的關鍵，此次小米65W氮化鎵（GaN）充電器只要149元，創下業內新低，對性價比的突破，具有信號意義。未來全球氮化鎵快充市場必將飛速發展，迅速獲得廣大用戶群體的接受和認可。

　　隨著應用的逐步擴大，規模化效應會逐步凸顯，成本將越來越低，氮化鎵充電器的滲透率會加速上升，消費電子級氮化鎵有望起量。據悉，即將發布的Realme X50 Pro有望采用65W SuperDart超級閃充氮化鎵充電器。華為接下來也將要使用氮化鎵充電器。

　　二、為什么氮化硅充電器會這么優秀

　　根據半導體行業發展，半導體材料也經歷了三代：

　　第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。目前市場上還是以硅材料占據絕大部分比例。

　　第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等。

　　第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導體材料。第三代半導體中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是核心。前者目前應用更廣泛，后者被寄予厚望。

　　氮化鎵（GaN）功率器件具有易散熱，體積小，損耗小，功率大等優勢，因此氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件。

　　三、不同襯底材料氮化鎵為何不同

　　氮化鎵是自然界沒有的物質，需要靠人工合成。而由于氮化鎵合成技術難度非常大，導致氮化鎵單晶材料成本很高，2英寸售價便高達2萬多，因此，商業場景中，更多使用氮化鎵異質外延片。

　　氮化鎵襯底材料有好幾種，在氮化鎵單晶襯底上長氮化鎵外延層我們稱為同質外延，在其他襯底材料上長氮化鎵我們稱為異質外延片。目前包括藍寶石，碳化硅，硅等是氮化鎵外延片主流的異質襯底材料。

　　由于不同的外延基底氮化鎵材料特性、質量等方面都有差別，因此所應用的場景也就不同，其中藍寶石基氮化鎵外延片只能用來做LED；硅基氮化鎵可以做功率器件和小功率的射頻；碳化硅基本氮化鎵可以制造大功率LED、功率器件和大功率射頻芯片。本次小米發售的快充頭，就是硅基氮化鎵做的功率器件的一個典型應用場景。

　　四、氮化鎵材料有哪些應用領域

　　氮化鎵材料，目前有三個比較重要的方向，分別是光電領域，包括我們現在常見的LED，以及激光雷達和VCSEL傳感器；功率領域，各類電子電力器件應用在快充頭，變頻器，新能源汽車，消費電子等電子電力轉換場景；射頻領域，包括5G基站，軍事雷達，低軌衛星，航天航空等領域。

　　未來氮化鎵的主要增長點在電源和射頻芯片：

　　1、在電源芯片方面，受到小米等廠商的推動，充電器將會成為氮化鎵（GaN）市場發展的短期推動力。伴隨著氮化鎵（GaN）產量的上升，氮化鎵（GaN）芯片的制造成本也會快速下降，形成消費電子類氮化鎵（GaN）市場。

　　2、射頻領域是氮化鎵（GaN）目前滲透率較高、未來發展前景大的產業，尤其是用于價格敏感度較低的基站建設和改造，氮化鎵（GaN）射頻芯片已經在少部分基站投入使用，由于氮化鎵（GaN）耐壓高，高頻特性好，特別是在毫米波上的的優勢，在5G基站領域需求強烈。

　　相關公司有三安光電(行情600703,診股)、聞泰科技(行情600745,診股)、士蘭微(行情600460,診股)、【海特高新(002023)、股吧】(行情002023,診股)等。

　　對于A股市場來說，每當有熱點出現，總不可避免的會有一些常規炒作，氮化鎵還是大家比較陌生的一種概念，一些蹭概念的或者是炒作砷化鎵等其他材料的，在這個時候都會有各自的表現，投資者就需要仔細篩選。