中芯國際14nm量產 良率95% 趕英超臺指日可待?
摘要: 在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段;除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術開發也已完成,28納米HKC持續上量,良率達到業界水平。
不久前,國內媒體報道中芯國際14nm芯片試產良品率高達95%。
前幾日,中芯國際宣布:
在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段;除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術開發也已完成,28納米HKC持續上量,良率達到業界水平。
這個消息著實令人驚喜。然而,一些媒體和網友卻發布了一些打雞血的文章,好像中芯國際立馬就要趕英(Intel)超臺(臺積電)了。
不過,鐵流對這個數據著實疑惑,因為95%的良率實在是太高了,而"熟能生巧"是行業規律。也就是一般要經過反復實踐,才能把良率一點一點提升上去。
即便是已經相對落后的40nm良率,中芯國際也沒能達到95%,而中芯國際的28nm工藝,良率直到最近才有所改觀。
這也導致華為、展訊、小米等IC設計公司,即便是使用28nm工藝,依舊選擇臺積電。只有高通因為被發改委反壟斷的關系,出于交"保護費"的心理,選擇把訂單給中芯國際。
因而,對于中芯國際14nm工藝一上手就95%的良率,著實有些不正常。
此外,中芯國際的14nm到底上三星的“非酋版”14nm,還是英特爾的“歐皇版”14nm,這也是一個值得探討的問題。
鐵流咨詢了業內人士,得到的答復是某種器件的良率達到95%。
由于IBM、AMD、英偉達、賽靈思、高通、華為等IC設計公司都沒有把14nm芯片訂單給中芯國際,而Intel、TI等廠商又是IDM模式,自己有工藝線。
因此,良率達到95%某種器件不太可能是大家比較關注的CPU、GPU、FPGA,以及手機SoC這些,極有可能是某類相對不是那么復雜的小芯片。
總的來說,中芯國際的做法還是比較明智的,畢竟飯要一口一口吃,技術發展急不來。現階段可能只是給一些小芯片代工,不太可能給高性能CPU代工。
另外,就大勢來看,中芯國際和臺積電等國際大廠的差距是顯而易見的。
目前,臺積電已經攻克了7nm工藝,正在攻關5nm工藝,華為的某款芯片就搶到了臺積電7nm工藝的產能。
三星的10nm工藝也早已量產,下一代工藝也在研發之中,不過,在三星開創工藝命名大法之后,不知道三星所謂的6/8nm到底有多少含金量。
相比之下,Intel的10nm工藝含金量就更高一些,雖然10nm看起來比7nm、6/8nm要落后一些,但根據Intel公布的資料,10nm工藝完全不輸臺積電三星正在研發的最新工藝。
聯電28nm工藝成熟度遠高于中芯國際,而且14nm工藝已經開始小批量試產。
格羅方德雖然在商業上常年虧損,但在技術上,并不落后臺積電多少,不僅積極布局7nm工藝,成都的工廠也在導入22nm FD-SOI工藝。
總的來說,由于差距明顯,而且暫時還沒有看到縮短的趨勢,趕英超臺打雞血未必合適。
不過,由于14nm工藝已經夠好了,已經能夠滿足很多客戶的需求,中芯國際只要能盡快實現商業量產,并把良率提升到接近臺積電的水平,就很不錯了。
擴展:我國整體制造高精端納米級別的芯片還處于成長階段,對于能夠生產處14nm,7nm等等芯片這種技術,我們要理性對待,畢竟我們和國外的廠商有一定的時間差距,這個不是一蹴而就的,只要我們腳踏實地的去做,相信不久的將來,我們就可以擁有我們自主知識產權的各種高精端芯片了。